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關于電容而言，小型化和高容量是永恒不變的展開趨勢。其間，要數多層陶瓷電容的展開最快。 多層陶瓷電容在便攜產品中的運用極為廣泛，但近年來數字產品的技術進步對其提出了新要求。例如手機要求更高的傳輸速率和更高的功用，基帶處理器要求高速度、低電壓。LCD模塊要求低厚度、大容量電容。而汽國環境的嚴苛性對多層陶瓷電容更特別的要求：首先是耐高溫，放置于其間的多層陶瓷電容有必要能滿足150度的工作溫度，其次是在電池電路上需求短路失效保護規劃。也就是說，小型化、高速度和高功用、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電容的關鍵特性,X2安規電容。
陶瓷電容的容量隨直流偏電壓的改動而改動。直流偏置電壓下降了介電常數，因而需求從材料方面下降介電常數電壓的依賴，優化直流偏置電壓特性。運用中較為常見的是X7R類多層陶瓷電容，它的容量首要會集在1000PF以上，該類電容器首要功用目標是等交串聯電阻，在高波紋電流的電源去耦、濾波及低頻信號耦全電路的低功耗表現比較突出，安規電容。
另一類多層陶瓷電容是COG類，它的容量多在1000PF以下，該類電容器首要功用目標是損耗角正切值。傳統的貴金屬電極的COG產品DF值規劃是（2.0-8.0）X 10-4，而技術創新型賤金屬電極的COG產品DF值規劃為(1.0-2.5)X10-4,約是前者的31-50%。該類產品在載有T/R模塊電路的GSM、CDMA、無繩電話、藍牙、GPS系統中低功耗特性較為明顯。較多用于各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時器電路等,陶瓷電容。
